更新時(shí)間:2021-08-11
Brainsway深部經(jīng)顱磁刺激系統(tǒng)H型Brainsway深部經(jīng)顱磁刺激線圈DTMS系統(tǒng)中的H型線圈是一個(gè)特殊的設(shè)計(jì),多個(gè)線圈元素定向與頭皮表面相切,使不相切的線圈元素盡量減少。底座靈活,使得線圈符合頭皮的曲率*大磁耦合。當(dāng)線圈放電時(shí),不同元素一致活動(dòng),局部感應(yīng)磁場(chǎng)相互結(jié)合,形成更深,更寬的完整的磁場(chǎng)。而這個(gè)磁場(chǎng)相比較其他TMS線圈,它的衰減速度非常慢。
Brainsway深部經(jīng)顱磁刺激系統(tǒng)H型
Brainsway深部經(jīng)顱磁刺激線圈
DTMS系統(tǒng)中的H型線圈是一個(gè)特殊的設(shè)計(jì),多個(gè)線圈元素定向與頭皮表面相切,使不相切的線圈元素盡量減少。底座靈活,使得線圈符合頭皮的曲率*大磁耦合。當(dāng)線圈放電時(shí),不同元素一致活動(dòng),局部感應(yīng)磁場(chǎng)相互結(jié)合,形成更深,更寬的完整的磁場(chǎng)。而這個(gè)磁場(chǎng)相比較其他TMS線圈,它的衰減速度非常慢。
功能特點(diǎn):
剌激深度大于6cm , 可高*剌激大腦深部核團(tuán);
深部聚焦,不損傷表層皮質(zhì) ;
結(jié)構(gòu)多樣,可以根據(jù)不同的剌激區(qū)域 ,改變不同的結(jié)構(gòu)形態(tài)特征;
底座設(shè)計(jì)可減弱靜電場(chǎng)對(duì)脈沖磁場(chǎng)的影響 ;
磁場(chǎng)衰減速度慢;
種類多樣,可根據(jù)不同病癥選擇不同類型的H線圈;
智能冷空氣降溫技術(shù);
通過(guò)FDA、CE認(rèn)證
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